电子材料

近日，国家知识产权局公布第二十四届中国专利奖获奖名单。 29项发明、实用新型专利被授予中国专利金奖，10项外观设计专利被授予中国外观设计金奖；60项发明、实用新型专利被授予中国专利银奖，15项外观设计专利被授予中国外观设计银奖；777项发明、...

随着全球半导体设备行业竞相提高生产效率，将人工智能（AI）融入其流程已成为新常态。然而，韩国业界日益担忧的是，主要外国半导体设备巨头在关键人工智能专利方面占据主导地位，这对韩国国内企业的未来增长构成了潜在障碍。 韩国下一代智能半导体企业集团（N...

天眼查显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司“半导体结构及其形成方法”专利公布，申请公布日为2024年3月8日，申请公布号为CN117672862A。一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括：衬底；鳍部；至少一组包括牺牲层和沟道...

近日，国家电投所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称“核力创芯”）暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。这标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了我国半导体产业链中缺...

随着市场跟上人工智能应用的日益增长，半导体行业将在2025年在功率元件、先进封装和HBM方面取得突破。在准备进入 2025 年之际，技术继续以前所未有的速度发展。随着科技行业的变化，半导体行业也在发生变化，该行业正在转型以支持新的应用。由于半导体一直是技术创新...

2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法和测试方法、存储系统”的专利，公开号CN120109122A，申请日期为2025年05月。 专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体器件及...

中证半导体材料设备主题指数(931743)上涨0.12%，成分股中晶科技上涨4.70%，富创精密上涨3.32%，华海清科上涨1.62%，康强电子上涨1.19%，金宏气体上涨0.82%。半导体材料ETF(562590)上涨0.09%， 冲击4连涨。最新价报1.0...

哈佛大学贝尔弗中心近日在一份最新发布的报告中指出：“中国在生物技术领域拥有最有可能超越美国的机会。”这份聚焦“关键和新兴技术指数”的报告涵盖人工智能、生物技术、半导体、太空和量子技术五大“关键科技领域”。报告称，尽管美国在这五大领域仍然处于领先地位，但在生物技...

经过约一年半时间业绩下滑后，半导体芯片板块在2024年一季度实现微盈，净利润同比增速由负转正，显示出周期复苏趋势越来越明确。Wind数据显示，半导体（中信成分）153只股今年一季度的净利润同比增速中位数为11.11%，上年同期为-52.01%，营业收入同比增速...

近期，全球各主要经济体纷纷在半导体产业政策方面加力。相较于此前效率优先的产业布局，供应链的独立性、多元化和安全性正在逐步成为各国半导体产业发展战略的优先考量。这一态势不仅影响全球半导体产业链供应链和产能分布，同时对半导体产业的发展趋势也将造成深远影响。“本地产...

1995 年，英伟达的第一款芯片 NV1 四处碰壁，公司只剩下 30 天的周转资金。2024 年，英伟达的 Blackwell GPU 供不应求，公司总市值突破 3.6 万亿美元。同样是 1995 年，英特尔在全球 PC 处理器市场占比超过 75%，确立了在个...

从天岳先进获悉，在日前举行的第31届半导体年度奖颁奖典礼上，天岳先进凭借全球首发的12英寸（300mm）碳化硅衬底技术，获“半导体电子材料”金奖，实现中国企业在该国际奖项上零的突破。碳化硅是第三代半导体核心基础材料，大尺寸衬底制备技术曾被国际垄断。天岳先进通过...

  2025年6月6日晚间，国内半导体设备龙头盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）公告称，公司收到上海证券交易所出具的《关于盛美半导体设备（上海）股份有限公司向特定对象发行股票的交易所审核意见》，公司向特定对象发行股票申请符合发行条...

2024年11月23日消息，国家知识产权局信息显示，吉安谊盛电子材料有限公司取得一项名为“一种具有防飞溅的搅拌设备”的专利，授权公告号 CN 222034550 U，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，本实用新型涉及助焊剂生产技术领域，且公开了一种具有防飞...

2024年11月22日消息，国家知识产权局信息显示，江西博大致远电子材料有限公司取得一项名为“一种新型电子产品吸塑托盘防撞结构”的专利，授权公告号CN 222023076 U，申请日期为2024年3月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种新型电子产品吸塑托盘防撞...

2024年11月23日消息，国家知识产权局信息显示，福建恒申电子材料科技有限公司取得一项名为“一种内置冷凝器的硅烷精馏塔”的专利，授权公告号 CN 222033653 U，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本实用新型涉及一种内置冷凝器的硅烷精馏塔，包括...

近日，山西师范大学许小红教授、王芳教授与中科院化学所薛丁江研究员共同合作，报道了一种自下而上合成CrSbSe3纳米带的模板选择策略，并实现了一维(1D)铁磁CrSbSe3纳米带的可控制备，纳米带表现出典型的半导体行为和铁磁性，证实了1D CrSbSe3半导体的...