国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 121013640 A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底中形成有第一金属层，所述基底和第一金属层表面形成有第一介质阻挡层；在所述第一介质阻挡层中形成暴露所述第一金属层的开口；在所述开口的底部和侧壁形成填充层；在所述开口内形成填满所述开口的底电极层；以及形成覆盖所述填充层和所述底电极层的顶面以及部分所述第一介质阻挡层的顶面的中间层以及顶电极层，所述底电极层、所述中间层和所述顶电极层构成RRAM存储器单元。本申请还提供一种半导体结构。本申请提供的半导体结构及其形成方法，可以避免在底电极层内部出现空洞，同时还可减少底电极层相对顶电极层的有效面积，使得底电极层与顶电极层之间的电场更加集中。
天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息431条，此外企业还拥有行政许可125个。
