2025-10-21，「一种半导体器件及其制造方法」正式进入公布阶段。申请人为芯联集成电路制造股份有限公司，该项半导体制造技术专利涉及双大马士革结构的制备工艺。据专利信息显示，通过一次光刻和一次刻蚀制程即可形成双大马士革结构，显著优化了生产流程，降低生产成本。发明人为黎震宇;吴梦圆;张俊龙;王琛;刘国安。本申请实施例只需要一次光刻和一次刻蚀制程便可形成双大马士革结构，简化了生产流程和生产周期，降低了生产成本，并且通过在硬掩膜层上方增加阻挡层的方式使硬掩膜层在修整时只进行横向扩大而不会纵向消耗，保障后续工艺顺利进行。
